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晶体管BSC016N03LSG产品资料

  • 价格:20
  • 更新:2018-04-28
  • 型号:BSC016N03LSG
  • 品牌:INFINEON
  • 供应商:深圳市明佳达电子有限公司
  • 联系人:陈先生
  • 手机:13925277766
  • 传真:0755-83957753
  • Q Q:
  • 地址:福田区华强北街道新亚洲国利大厦

详细信息

提供英飞凌晶体管BSC016N03LSG产品资料

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 131nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

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